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10nm的手机明年真的能用上吗
发布者:知乎 发布时间:2019-12-06 14:46:05 阅读:163次 
摘要:现在摩尔定律已经不管用了,注意力应该不能只盯着线宽了。由于各种原因,现在单纯减小管沟道线宽不能像以前那样明显提升晶体管性能或者提性能降功
现在摩尔定律已经不管用了,注意力应该不能只盯着线宽了。由于各种原因,现在单纯减小mos管沟道线宽不能像以前那样明显提升晶体管性能或者提性能降功耗了。现在升级一代线宽,部分指标可能不增反降--这样导致性能提升或功耗降低都很微小。另一方面,工艺的另一些角度反而变得很重要,比如金属栅极,high-k介电层,沟道处理等等。现在各大半导体厂同一线宽下都提供不同类型的工艺,例如高性能工艺或者低功耗工艺。tsmc等代工厂实际上可以提供3-4种同线宽的不同工艺版本。很容易理解,高性能的工艺必然高成本且研发周期滞后,而低成本工艺的性能很可能大大逊色于高性能工艺---下一代线宽的低成本工艺很可能性能仍然不如上一代线宽的高性能版本。总之现在工艺抢先很可能反而吃瘪--因为先出来的往往是低成本工艺。即使选择了高性能工艺版本,也往往存在优化不足等问题。至于今年能否看见10nm版本的芯片,个人觉得是可能的。就个人所知,10nm与14/16nm工艺并没有作很大升级,甚至生产设备都不需要做很大更新--当然其性能或者特性提升用户也可以想象了。___补充一点:Intel研发成本高可以说是领先者需要付出的代价,当然他们也因此可以从后面的技术授权和转移上获得丰厚回报。另外我上文其实也解释了为啥Intel为啥这么笃定。如果看得懂技术报告的话会发现同线宽下Intel使用的工艺的一些关键指标往往明显强于其他厂家。其他厂家即使提前使用新线宽,也未必能在性能上对Intel的地位有什么动摇。
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